隨著集成電路技術的不斷發展，其芯片的特征尺寸變得越來越小，器件的結構越來越復雜，與之相應的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細加工也變得越來越困難，傳統的分析手段已經難以滿足集成電路器件向深亞微米級、納米級技術發展的需要。
元器件開蓋，開帽原理主要是通過使用化學方法或者物理方法將元器件表面的封裝去除，觀察元器件內部的引線連接情況。在對IC封裝芯片進行失效分析時，由于芯片表面包覆有膠體，因此通常要進行芯片開蓋處理。目前，芯片開蓋處理是利用化學藥劑將覆蓋在芯片外部的膠體腐蝕掉的一道工序，其目的在于使內部芯片暴露在空氣中，以方便肉眼觀察和分析。芯片解密涉及到哪些技術呢？
1、探針技術，是用探針在直接暴露的芯片內部連線，使用物理連接的方法，連接到外部，并合用邏輯分析儀等工具，對數據進行采集，分析，以實現debug的一種技術手段。將芯片裸片固定在高倍率顯微鏡下，使用一種進口的極細探針（細到1個um以下的量級），將探針可以連接到芯片內部任何地方，然后對芯片內部結構進行分析。
2、FIB，FIB技術的出現實現了超大規模集成電路在失效分析對失效部位的精密定位，是大規模集成電路失效分析的基礎。FIB技術可以在SEM高分辨率的清晰圖像下，使用離子束刻蝕，可以非常精確地在器件特定微區制作剖面，而且FIB對所加工的樣品材料沒有限制，還可以邊刻蝕邊利用SEM及時觀察進展情況，使得加工的剖面具有極高的定位精度，由于整個過程樣品受到的應力很小，所以，剖面具有很好的完整性。FIB都必須搭配其他失效分析工具來完成分析的工作，比如掃描式電子顯微鏡、透射式電子顯微鏡、能量分散譜儀、光發射顯微鏡等等。
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