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失效分析
點針信號量測
描述：透過OM顯微鏡，利用一般點針(Prober)，搭接于芯片內部線路，使其可以外接各類電性量測設備，以輸入信號及量測電性曲線。可依據不同需求，搭配多種設備進行量測，借助點針(Prober)進行電性量測，對于半導體組件失效分析，均能提供直接且快速的信息。
應用范圍：
組件電性特性分析；
微機電及芯片微結構研究；
可應用在高頻電路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)；
當分析樣品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等儀器卻無適當治具或socket可用時，可用點針方式提供信號輸入輸出；
Wafer可點針進行各項測試；
實驗室另架設有Laser System，可做Laser Cut。
柵極電壓掃描曲線：
Vgs對Ids的曲線圖，當晶體管的Vds電壓固定時，變動Vgs則Ids亦會改變，可以得到一條Vgs 對Ids的曲線圖。此曲線可以研究在信道中的載子(電子或電洞)是如何被提升到傳導帶，而信道形成的臨界電壓及線性區的臨界電壓都可以被測得，可研究晶體管相當重要的特性曲線。
測試圖片和曲線：
設備圖片：
創芯在線實驗室設備優勢：
1、偵測范圍廣：BGA Ball, 各類型Die Pad, FIB Pad，等晶圓級量測；
2、有助于失效分析快速確認失效模式，排查失效點，縮小失效范圍，為去層分析和FIB分析做鋪墊。
