失效分析是一門發展中的新興學科,近年開始從軍工向普通企業普及,它一般根據失效模式和現象,通過分析和驗證,模擬重現失效的現象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產品質量,技術開發、改進,產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。電子元器件技術的快速發展和可靠性的提高奠定了現代電子裝備的基礎,元器件可靠性工作的根本任務是提高元器件的可靠性。
失效分析對象
1. 各種材料和零件(金屬、塑料、陶瓷、玻璃等)
2. 電子元件(電阻、電容、電阻網絡、電感、繼電器、電連接器、接觸器等)
3. 半導體分立器件(二極管、三極管、場效應管、可控硅、晶體振蕩器、光電耦合器、二極管堆、IGBT等)
4. 機電類器件(繼電器,機械開關、MEMS)
5. 線纜及接插件(航空連接器,各類型線纜)
6. 微處理器(51系列單片機,DSP,SOC等)
7. 可編程邏輯器件(GAL、PAL、 ECL 、FPGA、、CPLD、EPLD等)
8. 存儲器(EPROM、SRAM、DRAM、MRAM、DDR、FLASH、NOR FLASH、NAND FLASH、FIFO等)
9. AD/DA(DAC7611、MAX525、ADC0832、AD9750等)
10. 通用數字電路(CMOS 4000系列、54系列、80系列)
11. 模擬器件(運算放大器、電壓比較器、跟隨器系列、壓控振蕩器、采樣保持器等)
12. 微波器件(倍頻器、混頻器、接收器、收發器、上變頻器、 壓控振蕩器、放大器、功分器、耦合器等)
13. 電源類(線性穩壓器、開關電源轉換器、電源監控器、
14. 電源管理、LED、PWM控制器、DC/DC等)
失效分析檢測項目
形貌分析技術:體視顯微鏡、金相顯微鏡、X射線透視、聲學掃描顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡、聚焦離子束
成分檢測技術:X射線能譜EDX、俄歇能譜AES、二次離子質譜SIMS、光譜、色譜、質譜
電分析技術:I-V曲線、半導體參數、LCR參數、集成電路參數、頻譜分析、ESD參數、電子探針、機械探針、絕緣耐壓、繼電器特性
開封制樣技術:化學開封、機械開封、等離子刻蝕、反應離子刻蝕、化學腐蝕、切片
缺陷定位技術:液晶熱點、紅外熱像、電壓襯度、光發射顯微像、OBIRCH
失效分析相關標準
GJB548B-2005 微電子器件試驗方法和程序
GJB450A 裝備可靠性工作通用要求
GJB841 故障報告、分析和糾正系統
GJB536B-2011 電子元器件質量保證大綱
QJ3065.5-98 元器件失效分析管理要求
GJB 33A-1997 半導體分立器件總規范
GJB 65B-1999 有可靠性指標的電磁繼電器總規范
GJB 597A-1996 半導體集成電路總規范
失效分析常用設備
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