電特性檢測報告:KSZ8873MLLI測試
日期：2021-08-19 13:05:27 瀏覽量：4771 作者：創芯在線檢測中心
型號 ：KSZ8873MLLI
器件品牌 ：Microchip
器件封裝 ：64-lead LQFP
樣品數量 ：5 片
檢測數量 ：5 片
收樣日期 ：2021/08/11
測試日期 ：2021/08/16 13:30 - 2021/08/16 17:40
測試項目：
電特性測試、高低溫試驗
測試方法及測試設備
1.1 測試標準：
MIL-STD-883L-2019 ?
GJB 128A-1997
1.2 恒溫箱
設備規格: JW-2001
1.3 功能測試設備
半導體管特性圖示儀 XJ4822：
用示波管顯示半導體器件各種特性曲線，并測量其靜態參數，用于測量晶體管，二極管，MOSFET 和其他半導體器件。 最大集電極電壓高達3KV（可選） 步進電壓±10V +△VB ±5V，內部電阻低，特別適用于測試大功率VMOS器件。
1.4 檢測環境
環境溫度: 25±5℃
環境相對濕度: 45%-65%RH
1.5 檢測依據
《Microchip KSZ8873MLL》: https://www.semiee.com/file/Microchip/Microchip-KSZ8873.pdf
電特性測試：
高低溫試驗：
測試步驟：
1、常溫測試電特性是否合格；
2、150 度高溫持續一小時，取出后測試電特性是否合格；
3、-55 度低溫放置一小時，取出后測試電特性是否合格；
1.芯片描述
高級開關功能 綜合配置寄存器 支持優先 QoS/CoS 數據包 每個端口，802.1p 和基于 DiffServ 經過驗證的集成 3 端口 10/100 以太網交換機 開關監測功能 低功耗
2.封裝尺寸
3.來料信息
4.高低溫試驗
測試步驟：
1、常溫測試電特性是否合格；
2、150 度高溫持續一小時，取出后測試電特性是否合格；
3、-55 度低溫持續一小時，取出后測試電特性是否合格；
高低溫試驗程序設定如下：
5.電特性測試
依據標準：GJB 128A-1997
使用半導體管特性圖示儀驗證芯片管腳電特性曲線，通過開路/短路測試檢查芯片是否損壞。
電特性測試結論：
